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外送d）两个通道的有源光衰减器的示意图。电力度百的新c）TENG-DEA系统的示意图。

塔下电荷注入后摩擦膜的表面电荷密度是普通膜的几倍。

需要指出的是，春坚基于压电纳米发电机（PENG）或驻极体发生器的高压电源。 Figure17.（a）卵黄@壳SiOx/C微球的制备示意图，每秒米铁在外表面和内表面上具有半石墨碳涂层（SiOx/C-CVD）。

2011年加入南洋理工大学楼雄文教授课题组从事博士后研究，外送2012年加入昆士兰大学余承忠教授课题组从事博士后研究，外送2015年3月加入武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室。然而，电力度百的新目前并没有专门针对硅氧化物基负极材料的综合评述。

塔下基于硅氧化物的负极材料将在下一代高能量密度LIBs中发挥越来越重要的作用。（e）HEMM处理的d-SiO和多孔SiOx的速率性能，春坚1C=1500mAhg-1。